设备相关产品

Semiconductor Single Crystal Silicon
Ingot Puller

半导体单晶硅棒拉晶设备
FT-CZ1200Se/1400Se

这是在半导体工艺中利用我们的核心技术生产的单晶锭制造设备。在真空炉中熔解的硅原料形成硅溶液后,把晶体向上提拉以形成锭状。利用我们的真空密封技术维持设备内的真空状态。高温熔解原料的石墨加热器,以及作为容器的坩埚也是我们自己的产品。这些产品支持着单晶组件达成世界级的高转换效率。

尺寸
规格表
    半导体级
FT-CZ1200Se
半导体级
FT-CZ1400Se
备注
(适用于两种型号)
场所 周围温度 15~30 ℃ 15~30 ℃  
周围湿度 65%
(无结露,腐蚀气体 )
65%
(无结露,腐蚀气体 )
 
洁净度 10000 级(ISO6) 10000 级(ISO6)  
噪音 75db 75db  
地基 3000kg/ m2以上 3000kg/ m2以上  
电源 定格电压 3P 380VAC±10%
50/60Hz
3P 380VAC±10%
50/60Hz
 
定格容量 320kVA 420kVA
(主副合算)
 
定格电流 500A 650A
(主副合算)
 
冷却水 流量范围 350 ~ 400L/min 500L/min  
供给压力 0.3 ~ 0.4MPa 0.3 ~ 0.4MPa  
设备参数 设备高度 <8991mm <9700mm Δ 视上炉筒高度而定
设备重量 约25T 约26T ※ 不含磁场
腔体材质 304L/316L 304L/316L  
炉腔内径 1200mm 1400mm  
喉口内径 340mm 400mm Δ
极限真空度 <1Pa <1Pa  
泄漏量 5Pa/hr 5Pa/hr  
籽晶行程 約4500mm 約5800mm  
籽晶低速升降速度 0.08 ~ 7.9 mm/min 0.08 ~ 7.9 mm/min  
籽晶转速 0.1 ~ 25rpm 0.1 ~ 25rpm ※ 籽晶共振点以外
籽晶称重 MAX 240Kg MAX 600Kg Δ
坩埚行程 700mm 680mm  
坩埚低速升降速度 0.03 ~ 3.0 mm/min 0.016 ~ 1.6 mm/min  
坩埚转速 0.1 ~ 20rpm 0.1 ~ 20rpm  
坩埚轴承重 MAX 600Kg MAX 1000Kg Δ 可根据客户要求加大承重量
侧加热器升降行程程 250mm 250mm  
侧加热器升降速度 MAX 200mm/min MAX 200mm/min  
磁场升降行程 1250mm 1500mm  
磁场升降速度 MAX 400mm/min MAX 400mm/min  
磁场机构承重 1000Kg 10000Kg Δ

※ 以上数据仅为我公司标准式样,“Δ”项数据可根据客户要求进行调整。

FerroTec Shanghai

上海 上海汉虹精密机械有限公司

住址
上海市宝山城市工业园区山连路188号

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该产品的生产基地
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