装置関連事業

Semiconductor Single Crystal Silicon
Ingot Puller

半導体用単結晶引き上げ装置
FT-CZ1200Se/1400Se

半導体工程で培った当社のコア技術が生かされた単結晶インゴットの製造装置です。原料のポリシリコンを真空電気炉内で溶かしたシリコン融液を引き上げながらインゴット形状を作ります。装置内の真空状態を維持しているのは、自社技術の真空シール。原料を高温で溶かすカーボンヒーターや、その受け皿となるるつぼも当社の製品です。単結晶モジュールの世界トップクラスの高変換効率化を下支えしています。

寸法図
規格表
    半導体用途
FT-CZ1200Se
半導体用途
FT-CZ1400Se
備考
(型式2種類)
場所 周囲温度 15~30 ℃ 15~30 ℃  
周囲湿度 65%
(結露と腐食性ガス無し)
65%
(結露と腐食性ガス無し)
 
清潔度 10000 級(ISO6) 10000 級(ISO6)  
騒音 75db 75db  
地盤 3000kg/ m2以上 3000kg/ m2以上  
電源 定格電圧 3P 380VAC±10%
50/60Hz
3P 380VAC±10%
50/60Hz
 
定格容量 320kVA 420kVA
(主電源と副電源の合算)
 
定格電流 500A 650A
(主電源と副電源の合算)
 
冷却水 流量範囲 350 ~ 400L/min 500L/min  
供給圧力 0.3 ~ 0.4MPa 0.3 ~ 0.4MPa  
設備のパラメーター 設備高度 <8991mm <9700mm Δトップチャンバーの
筒体の高さにより決める
設備重量 約25T 約26T 磁場無し
炉体材質 304L/316L 304L/316L  
炉内径 1200mm 1400mm  
隔離バルブと炉蓋の繋ぎ部分の内径 340mm 400mm Δ
極限真空度 <1Pa <1Pa  
リーク量 5Pa/hr 5Pa/hr  
種の行程 約4500mm 約5800mm  
種の低速昇降速度 0.08 ~ 7.9 mm/min 0.08 ~ 7.9 mm/min  
種の回転速度 0.1 ~ 25rpm 0.1 ~ 25rpm 結晶体の共振点以外
種の重量 MAX 240Kg MAX 600Kg Δ
坩堝行程 700mm 680mm  
坩堝の低速昇降速度 0.03 ~ 3.0 mm/min 0.016 ~ 1.6 mm/min  
坩堝の回転速度 0.1 ~ 20rpm 0.1 ~ 20rpm  
坩堝軸の許容重量 MAX 600Kg MAX 1000Kg Δ顧客のご要望に応じて
許容重量を大きくする可能
側面加熱器の昇降行程 250mm 250mm  
側面加熱器の昇降測度 MAX 200mm/min MAX 200mm/min  
磁場の昇降行程 1250mm 1500mm  
磁場の昇降測度 MAX 400mm/min MAX 400mm/min  
磁場機構の許容重量 1000Kg 10000Kg Δ

※以上は数値はあくまで弊社の標準仕様であり、△付きの場合、顧客のご要望に応じて調整可能。

FerroTec Shanghai

上海 上海漢虹精密機械有限公司

住所
中国上海市宝山城市工業園区山連路188号

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この技術の製造拠点
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