スパッタリング装置

スパッタリングとは乾式メッキ法に分類され、コーティング対象物を液体や高温気体に晒すことなくメッキ処理が出来ます。応用分野は様々ですが、半導体やFPD用の高品質が要求される薄膜製膜においても欠かせない技術です。

CVD装置

CVDは化学気相成長と呼ばれる薄膜製膜技術の一つです。加熱された基板に製膜を行いたい成分を含むガスを供給し、基板表面における化学反応により膜を堆積させます。

真空ロボット

クリーン環境において、半導体ウエーハやFPDパネルを安全かつ正確に搬送するために使用されます。

イオン注入装置

イオン注入はイオン化された原子、または分子を加速させ、基板に打ち込むことにより基板の性質を変化させるために用いられます。半導体製造においては、シリコンウエーハにホウ素やリンを注入することにより電気的特性を与えることが出来ます。

エッチング装置

エッチングとは薬液や反応ガスの腐食作用を利用した表面加工方法です。半導体製造においてはウエーハにパターン形成する際の薄膜除去方法として使用されます。ガスをプラズマ化し、加速したイオンと化学反応で削るドライエッチングと、酸やアルカリの腐食作用を利用するウェットエッチングがあります。

エピタキシャル成長装置

エピタキシャル成長とは下地となる結晶基板に結晶方位の揃った膜を堆積させる薄膜技術です。次世代を担うとされるSiCやGaNが注目を集めるパワー半導体製造において、エピタキシャル成長技術は欠かせません。

ガス導入機

真空シールのシール性能を活用し、プロセスチャンバ内へのガス導入が可能です。多流路型の実績もあります。

真空チャック

真空による吸引力を利用し、ウエーハやガラス基板を吸着により固定する方法です。高速回転や搬送時にサンプルを傷つけることなく固定出来ます。